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成員(請後台修改)
教授
通訊錄
貢獻自評表
行政標準作業流程與表單(後台改)
台大作業流程
辦理到職標準作業程序_20170626
期刊之近五年Impact-Factor查詢_蔡輔安_20160508
教授國內差旅費請款標準作業程序_20170626
專任研究助理薪資報支標準作業程序_20170626
國立臺灣大學邁向頂尖大學計畫經費流用及變更申請書_20170626
科研採購流程_20160418
科技部專任助理聘用標準作業程序_20170626
非計畫主持人兼任博士助理聘僱標準作業程序_20170626
台灣大學機械系廖洺漢實驗室碩博士學位論文切結書_20170626
工研院採購標準作業程序_20170626
200萬元以下招標案邁頂校內標準作業程序_20170626
國家奈米實驗室作業流程
國家奈米實驗室連續製程委託申請步驟_20170626
國家奈米元件實驗室光罩委託製作須知_20170626
NDL委託代工流程及聯絡窗口_一般連續製程_20170626
其他實驗室設備預約標準流程
超導量子干涉磁化儀預約標準作業程序_20170626
XRD預約標準作業程序_20170626
科技部作業流程
科技部經費流用申請表_20170626
設備/委託代工(後台改)
設備操作守則SOP
設備操作SOP
操作使用說明_變溫下針座_20160201
操作使用說明_曝光機_20160201
操作使用說明_濺鍍機1-2_20160201
操作使用說明_濺鍍機1-1_20160201
操作使用說明_電子鎗真空蒸鍍系統_20160525
操作使用說明_探針IV量測系統_20161109
操作使用說明_高溫爐管_20160201
操作使用說明_拉力機_20161108
操作使用說明_光學顯微鏡暨CCD軟體_20160201
操作使用說明_PL光譜儀_20160201
操作使用說明_AUTOLAB_20160201
操作使用說明_Agilent-b1500a_電性量測_20160201
實驗室裝置SOP
新數202_監看行動裝置
設備操作紀錄表
操作紀錄簿_濺鍍機
操作紀錄簿_E-gun
委託代工SOP
NDL
airTMD_20170626
其他
計畫家族關係SOP
冷陰極真空計保養
石英晶體式成膜控制器_E-gun
E-gun坩堝的選擇2
廖洺漢實驗室設備
廖洺漢實驗室財產申報表_同學簽名確認_20170703
儀器設備機台資訊總表_20161104
廖洺漢實驗室財產位置總表與附圖_20170116
廖洺漢實驗室財產申報表_同學簽名確認_20161107
廖洺漢實驗室財產申報表_同學簽名確認_20160316
實驗室設備代工收費表
實驗室設備代工收費表_20161104
airTMD_20170626
研究成果
演講
2017
2016
荷蘭機電整合學程對我國產學研之啟發_NTU_MHLiao_20160525V2-1
Micron-NTU-Day_MHLiao_20161130
2014
2013
期刊論文
C302_科技部近5年論文著述_20170629
C302_科技部近5年論文著述_20160420
研究領域介紹
實驗室研究方向與主題_20160217
研究計畫
C304_近年之研究計畫_20170629
C303_專利、技術轉移、著作授權、其它績效_20170629
C304_近年之研究計畫_20160420
C303_專利、技術轉移、著作授權、其它績效_20160420
課程
工程圖學
2017
2016
機械設計
2017
2016
半導體設備實務
2017
Reference Papers
Intel_10 nm technology
2016
半導體設備實務進階
2017
2016
成員專區
製程參數
107
106
濺鍍製程加熱之純矽無參雜電晶體_製程流程與參數_徐敏軒_20161104
純矽之無參雜電晶體_製程流程與參數_徐敏軒_20160705
垂直式摩擦電元件圓頂型demo_陳俊余_20170413
垂直式摩擦電元件_製作流程與參數_陳俊余_20170413
垂直式摩擦電元件_V-shape製程流程與參數_黃宏奕_20170406
材料性質_20160316
在低溫座上藉由光譜分析儀量測矽基材的波長_蔡輔安_201608028
三維微型熱電致冷元件之研製_製程流程與參數_蔡輔安_20170619
二維薄膜熱電元件_製程流程與參數_蔡輔安_20170619
V-shape_製程流程與參數_黃宏奕_20160427
Raman-studies-for-K-value-estimation_蔡輔安_20160505
PL-System-for-Silicon-Band-Gap-Measurement_蔡輔安_20160628
NDL蝕刻率參數測量_蔡輔安_20160912
105
熱電k值量測元件_製程流程與參數_倪祥圃_20160601
垂直式摩擦電元件_製程流程與參數_莊智傑_20160601V1
三維微型熱電致冷元件之研製-_製程流程與參數_陳世岡_20160603
二硫化鉬背閘極式電晶體的製程流程與參數_葉佳翰_20160601
Voc量測結果_莊智傑_20160510
104
103
製程參數V3_黃崧芥_20140628
102
實測-Battery-KPI_楊晨_20160422
畢業生論文
107
106
其他
蔡輔安
陳品光
徐敏軒
黃宏奕
羅立翔
105
葉佳翰
陳世岡
莊智傑
倪祥甫
104
他校論文
連慶
劉倡宜
103
劉昆翰
黃崧芥
黃仕宇
高思介
洪崇軒
102
楊辰
張立成
參考投影片
106
投稿計畫
2017
科技部
2016
科林研發
科技部
台灣大學與中央研究院
2015
科技部
成果報告
2017
科技部
2016
科技部
台灣大學
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成員專區
2017/06/07
製程參數
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純矽之無參雜電晶體_製程流程與參數_徐敏軒_20160705
垂直式摩擦電元件圓頂型demo_陳俊余_20170413
垂直式摩擦電元件_製作流程與參數_陳俊余_20170413
垂直式摩擦電元件_V-shape製程流程與參數_黃宏奕_20170406
材料性質_20160316
在低溫座上藉由光譜分析儀量測矽基材的波長_蔡輔安_201608028
三維微型熱電致冷元件之研製_製程流程與參數_蔡輔安_20170619
二維薄膜熱電元件_製程流程與參數_蔡輔安_20170619
V-shape_製程流程與參數_黃宏奕_20160427
Raman-studies-for-K-value-estimation_蔡輔安_20160505
PL-System-for-Silicon-Band-Gap-Measurement_蔡輔安_20160628
NDL蝕刻率參數測量_蔡輔安_20160912
105
熱電k值量測元件_製程流程與參數_倪祥圃_20160601
垂直式摩擦電元件_製程流程與參數_莊智傑_20160601V1
三維微型熱電致冷元件之研製-_製程流程與參數_陳世岡_20160603
二硫化鉬背閘極式電晶體的製程流程與參數_葉佳翰_20160601
Voc量測結果_莊智傑_20160510
104
103
製程參數V3_黃崧芥_20140628
102
實測-Battery-KPI_楊晨_20160422
畢業生論文
107
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其他
蔡輔安
陳品光
徐敏軒
黃宏奕
羅立翔
105
葉佳翰
陳世岡
莊智傑
倪祥甫
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他校論文
連慶
劉倡宜
103
劉昆翰
黃崧芥
黃仕宇
高思介
洪崇軒
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楊辰
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